가톨릭대 성심

상세정보
자료유형	단행본
개인저자	Hu, Chenming 권기영 신형철 이종호
서명/저자사항	현대 반도체 소자 공학 / 첸밍 후 저 ; 권기영 ; 신형철 ; 이종호 [공]역.
발행사항	서울 : 한빛미디어, 2010 (2011 2쇄).
형태사항	456 p. : 삽도, 도표 ; 24 cm.
총서사항	IT cookbook. 한빛교재시리즈 ; 312
원서명	Modern semiconductor devices for integrated circuits
기타표제	최신 반도체 기술을 간결하게 정리한 반도체 공학 기본서
ISBN	9788979147186
일반주기	Appendix: 1, 상태 밀도의 유도(Derivation of the density of states). - 2, 페르미-디락 분포 함수의 유도(Derivation of the Fermi-Dirac distribution function). - 3, 소수 캐리어 가정의 일관성(Self-consistencies of minority carrier assumptions)
서지주기	서지적 각주, 참고문헌, 색인(p. 439-456) 포함
비통제주제어	반도체,반도체소자,반도체공학

소장정보

전체
전체 소장정보 목록
중앙도서관
중앙도서관 소장정보 목록

보존서고도서 신청
서가에 없는 도서
야간대출
인쇄

전체

전체 소장정보 목록
No.	등록번호	청구기호	소장처	밀집번호	도서상태
1	E415145	621.38152 H874m권 c.3	중앙도서관/제2보존서고/	0250381	대출가능
2	E415146	621.38152 H874m권 c.4	중앙도서관/제2보존서고/	0250429	대출가능
3	E383209	621.38152 H874m권	중앙도서관/제2자료실(4F)/		대출가능
4	E383210	621.38152 H874m권 c.2	중앙도서관/제2자료실(4F)/		대출가능

초록

『현대 반도체 소자 공학』은 마이크로전자 공학계에서 명성이 높은 첸밍 후의 최신간으로, 방대한 반도체 공학 내용을 간결한 어조로 집약적인 구성을 통해 소개한다.

1장 | 반도체 내의 전자와 정공
01_ 실리콘 결정 구조
02_ 전자와 정공의 결합 모델
03_ 에너지 밴드 모델
04_ 반도체, 절연체, 도체
05_ 전자 및 정공
06_ 상태 밀도
07_ 열적 평형상태와 페르미 함수
08_ 전자와 정공의 농도
09_ n과 p의 일반적 이론
10_ 극고온과 극저온에서의 캐리어 농도
11_ 장 요약
연습문제
참조문헌...

목차 전체

1장 | 반도체 내의 전자와 정공
01_ 실리콘 결정 구조
02_ 전자와 정공의 결합 모델
03_ 에너지 밴드 모델
04_ 반도체, 절연체, 도체
05_ 전자 및 정공
06_ 상태 밀도
07_ 열적 평형상태와 페르미 함수
08_ 전자와 정공의 농도
09_ n과 p의 일반적 이론
10_ 극고온과 극저온에서의 캐리어 농도
11_ 장 요약
연습문제
참조문헌

2장 | 전자 및 정공의 운동과 재결합
01_ 열 운동
02_ 드리프트
03_ 확산 전류
04_ 에너지 다이어그램과 V, 간의 관계
05_ D와 μ 간의 아인슈타인 관계식
06_ 전자-정공 재결합
07_ 열 생성
08_ 유사 평형상태와 의사 페르미 준위
09_ 장 요약
연습문제
참조문헌

3장 | 소자 제조 기술
01_ 소자 제조에 대한 서론
02_ 실리콘의 산화
03_ 리소그래피
04_ 패턴 전사─에칭
05_ 도핑
06_ 도펀트 확산
07_ 박막 증착
08_ 상호 연결─후미 공정
09_ 테스팅, 조립, 그리고 검정
10_ 장 요약─소자 제조 예
연습문제
참조문헌

4장 | PN 접합과 금속-반도체 접합
#Part 1: PN 접합
01_ PN 접합 이론의 기초적 요소
02_ 공핍층 모델
03_ 역 바이어스된 PN 접합
04_ 커패시턴스-전압 특성
05_ 접합 항복
06_ 정 바이어스 상태에서 운반자 주입─유사평형 경계 조건
07_ 전류 연속 방정식
08_ 정 바이어스된 PN 접합에서 과잉 운반자
09_ PN 다이오드 IV 특성
10_ 전하 축적
11_ 다이오드의 소신호 모델
#Part 2: 광전 소자에의 응용
12_ 태양전지
13_ 발광 다이오드와 고체 조명
14_ 다이오드 레이저
15_ 광 다이오드
#Part 3: 금속-반도체 접합
16_ 쇼트키 장벽
17_ 열전자 방출 이론
18_ 쇼트키 다이오드
19_ 쇼트키 다이오드의 응용
20_ 양자 역학적 터널링
21_ 옴성 접촉
22_ 장 요약
연습문제
참조문헌

5장 | MOS 커패시터
01_ 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압
02_ 표면 축적
03_ 표면 공핍
04_ 문턱 조건 및 문턱 전압
05_ 문턱 조건 이후의 강반전
06_ MOS 커패시터의 C-V 특성
07_ 산화막 전하
08_ 폴리실리콘 게이트 공핍
09_ 반전 및 축적 전하층 두께와 양자역학적 효과
10_ CCD 및 CMOS 화상기
11_ 장 요약
연습문제
참조문헌

6장 | MOS 트랜지스터
01_ MOSFET의 소개
02_ 상보형 MOS(CMOS) 기술
03_ 표면 이동도와 고이동도 FET
04_ MOSFET Vt, 바디 효과, 가파른 역방향 도핑
05_ MOSFET의 Qinv
06_ 기본적인 MOSFET IV 모델
07_ CMOS 인버터─회로의 예
08_ 속도 포화
09_ 속도 포화 현상이 있을 경우의 MOSFET IV 모델
10_ 기생 소오스-드레인 저항
11_ 직렬 저항과 유효 채널 길이의 추출
12_ 속도 오버슛과 소오스 속도 한계
13_ 출력 컨덕턴스
14_ 고주파 성능
15_ MOSFET 잡음
16_ SRAM, DRAM, 비휘발성 (플래시) 메모리 소자들
17_ 장 요약
연습문제
참조문헌

7장 | 집적회로에서의 MOSFET-축소화, 누설전류 및 다른 토픽
01_ 소자 축소화─가격, 속도 및 전력 소모
02_ 문턱전압 이하 전류─"OFF"는 완전한 "OFF"가 아니다
03_ Vt 감소(롤 오프)─단채널 MOSFET이 심한 누설전류를 갖는다
04_ 게이트 절연막의 전기적 두께 감소 및 터널링 누설전류
05_ Wdep을 줄이는 방법
06_ 얕은 접합과 금속 소오스/드레인 MOSFET
07_ Ion과 Ioff의 절충 및 제조를 위한 설계
08_ 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET
09_ 출력 컨덕턴스
10_ 소자 및 공정 시뮬레이션
11_ 회로 시뮬레이션을 위한 MOSFET 콤팩트 모델
12_ 장 요약
연습문제
참조문헌

8장 | 바이폴라 트랜지스터
01_ BJT 입문
02_ 컬렉터 전류
03_ 베이스 전류
04_ 전류 이득
05_ 컬렉터 전압에 의한 베이스 폭 변조
06_ 에버스-몰 모델
07_ 천이 시간과 전하 저장
08_ 소신호 모델
09_ 컷오프 주파수
10_ 전하 제어 모델
11_ 대신호 회로 시뮬레이션을 위한 모델
12_ 장 요약
연습문제
참조문헌

부록 Ⅰ 상태 밀도의 유도
부록 Ⅱ 페르미-디락 분포함수의 유도
부록 Ⅲ 소수 캐리어 가정의 일관성

찾아보기

더보기 더보기 닫기